
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GAS-Shield高純氣體過濾器廣泛用于晶圓、CPU/GPU、集成電路、OLED等產品的生產和封裝過程中的特種電子氣體的過濾純化應用。過濾精度高達1.5納米,適用于最先進的3納米CPU制造工藝。全金屬結構可以達到非金屬過濾器3~5倍的使用壽命,并最大程度避免了消耗型濾材造成的環境污染。 |
以晶圓和CPU的生產為例,CPU的制造精度通常以nm(納米)為單位衡量。比如目前主流的商用CPU多采用7nm或14nm精度的制造工藝。制造精度越高就意味著同樣面積的晶圓上可以生產更多的CPU,降低CPU的制造成本;同時集成電路(IC)的密集程度越大,意味著在同樣大小面積的IC中,可以擁有密度更高、功能更復雜的電路設計。總的來說,就是可以制造尺寸更小、功能更復雜、成本更低的微電子處理器和存儲器。 |
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由于IC電路的最小結構是二極管,芯片制造精度同樣代表了IC內電路和外電路之間半導體二極管結構的距離,如果有芯片制造精度1/2長度的雜質(如7nmCPU對應3.5nm的灰塵)的存在就可以導致半導體結構的短路,造成產品報廢。雜質的尺寸越大,帶來的危害就越大。因此缺陷控制是保證品質和合格率的關鍵手段,過程涵蓋“硅提純”→“晶圓切割”→“影印”→“蝕刻”→“重復分層”→“封裝”→“測試”。
電子行業的特種氣體包括 NH3、Ar、AsF5、AsH3、BCI3、BF3、CO2、CO、CCl4、CF4、Cl2、B2H6、SiH2Cl2、C4H10Te、F2、CClF3、CF4、CHF3、C2ClF5、C2F6、GeH4、He、H2、HBr、HCl、HF、H2Se、H2S、Kr、CH4、CH3F、NO、N2、NF3、N2O、Ne、O2、O3、C3F8、PH3、PF3、PCl5、PF5、SiH4、SiCl4、SiF4、SbH3、SF6、TEOS、SiHCl3、C3H9B、C3H9PO4、WF6、Xe 等,純度要求通常需要99.999%~99.9999999%,價格是食品行業特氣的幾倍,化工生產用特氣的5~10倍(甚至更高)。
晶圓生產過程中電子氣體及過濾控制
Gas Shield高純度氣體過濾器提供99.9999999%(9-log)的顆粒粒徑低至0.0015μm即1.5nm的Particle-free氣體過濾。(注:提前滿足下一代3nm芯片制造工藝) 為了最大限度地提高氣體濾過的效率、強度和可靠性,過濾器使用全金屬結構,可以兼容大多數高純電子級工藝氣體。為了能在更多的點位使用,可以選擇300系列不銹鋼、哈氏合金、Penta鎳或金屬纖維材質。 |
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